高溫四探針測試儀是研究高溫條件下半導(dǎo)體或絕緣材料導(dǎo)電性能的測試儀器，可以實現(xiàn)高溫、真空、氣氛條件下測量薄膜方塊電阻、電阻率，可以實現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測量功能，可以分析電阻率pv與溫度T變化的曲線，一體化集成設(shè)計，是用于變溫、真空及氣氛條件下測試半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的測量系統(tǒng)。
 

　　高溫四探針測試儀采用手動升降平臺，該平臺可以將樣品和電極夾具一起沉降到高溫爐中，并保證樣品和測量傳感器盡可能接近，確保測量溫度與樣品溫度的一致性；高溫爐膛采用纖維一體開模鑄造而成，內(nèi)部配有超溫報警電路，確保爐膛不易燒壞。采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結(jié)合配置專用的高溫測試探針治具，滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求，通過測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
 

　　高溫四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)性能研究等用途。